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IXTA70N075T2
IXTP70N075T2
32
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
32
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
30
28
R G = 5 Ω
V GS = 10V
V DS = 38V
30
28
T J = 25oC
26
I
D
= 30A
26
R G = 5 Ω
V GS = 10V
V DS = 38V
24
24
22
20
18
I
D
= 10A
22
20
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
55
28
25
52
50
45
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 38V
26
24
24
t f t d(off) - - - -
R G = 5 Ω , V GS = 10V
V DS = 38V
48
23
44
40
35
I D = 10A, 30A
22
20
22
I D = 10A
40
21
36
30
18
25
20
15
16
14
12
20
19
18
I D = 30A
32
28
24
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
23.0
52
80
100
22.5
T J = 125oC
t f t d(off) - - - -
R G = 5 Ω , V GS = 10V
48
70
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
90
22.0
21.5
21.0
20.5
20.0
T J = 25oC
T J = 25oC
V DS = 38V
44
40
36
32
28
60
50
40
30
20
V DS = 38V
I D = 10A, 30A
80
70
60
50
40
I
D
= 30A
19.5
19.0
T J = 125oC
24
20
10
0
30
20
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
4
6
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10
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14
16
18
20
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
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IXTA72N20T 功能描述:MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA74N15T 功能描述:MOSFET 74 Amps 150V 27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA75N10P 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA76N075T 功能描述:MOSFET 55 Amps 75V 17.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA76N25T 功能描述:MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA76P10T 功能描述:MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA76P10T-TRL 制造商:IXYS Corporation 功能描述:TRENCHP POWER MOSFET